ZHCSVZ1B April 2024 – January 2025 ISO7741TA-Q1 , ISO7741TB-Q1 , ISO7742TA-Q1 , ISO7742TB-Q1
PRODUCTION DATA
與所有高速 CMOS IC 一樣，該器件需要一個 10nF 至 100nF 的旁路電容器。
初級中心抽頭處的輸入大容量電容器能夠在快速轉換瞬態期間為初級提供大電流。為最大限度減小紋波，電容應為 1μF 至到10μF。在具有專用接地層的雙層 PCB 設計中，將該電容器放置在靠近初級中心抽頭的位置，以便最大限度減小布線電感。在具有低電感接地參考平面與 VCC 的四層 PCB 設計中，可以將電容器放置在電路板電源入口處。為提供低電感路徑，請為連接參考平面或初級中心抽頭的每個連接使用兩個并聯過孔。
整流器輸出端的大容量電容器可使輸出電壓變得平滑。將該電容器的電容設置為 1μF 至 10μF。
對于穩壓器輸入端，不一定需要小電容。不過，良好的模擬設計實踐表明，使用 47nF 至 100nF 的較小值，能夠改善穩壓器的瞬態響應與噪聲抑制能力。
LDO 輸出電容器能夠為后續隔離器與收發器電路提供穩壓輸出緩沖。輸出電容器的選擇取決于數據表中規定的 LDO 穩定性要求。不過，多數情況下，4.7μF 至 10μF 范圍內的低 ESR 陶瓷電容器能夠滿足該等要求。