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ZHCS170D April 2011 – April 2025 INA200-Q1 , INA201-Q1 , INA202-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DGK|8
- MPDS028E

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性：電流分流監控器

T_A = 25°C，V_S = 12V，V_CM = 12V、V_SENSE = V_IN+ – V_IN– = 100mV，R_L = 10kΩ 至 GND，R_PULL-UP = 5.1kΩ 從 CMP_OUT 連接至 V_S，且 CMP_IN = GND（除非另有說明）

參數		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
輸入
V_SENSE	滿標度檢測輸入電壓	V_SENSE = V_IN+ – V_IN–			0.15	(V_S – 0.25) / Gain	V
V_CM	共模輸入范圍	T_A = -40°C 至 125°C		-16		80	V
共模抑制 (CMR)	共模抑制	V_IN+ = –16 V 至 80V		80	100		dB
共模抑制 (CMR)	共模抑制	V_IN+ = 12V 至 80V，T_A = –40°C 至 125°C。		100	123		dB
V_OS	失調電壓，RTI⁽¹⁾	T_A = 25°C			±0.5	±2.5	mV
		T_A = 25°C 至 125°C				±3	mV
		T_A = -40°C 至 25°C				±3.5	mV
dV_OS/dT	偏移電壓 (RTI) 與溫度間的關系	T_A = -40°C 至 125°C			5		μV/°C
PSR	偏移電壓 (RTI) 與電源間的關系	V_OUT = 2V，V_IN+ = 18V、2.7V，T_A = –40°C 至 125°C			2.5	100	μV/V
I_B	輸入偏置電流，V_IN– 引腳	T_A = -40°C 至 125°C			±9	±16	μA
輸出 (V_SENSE ≥ 20mV)
G	增益	INA200-Q1			20		V/V
		INA201-Q1			50		V/V
		INA202-Q1			100		V/V
	增益誤差	V_SENSE=20 mV 至 100 mV			±0.2%	±1%
	增益誤差	V_SENSE = 20mV 至 100mV，T_A = –40°C 至 125°C				±2%
	總輸出誤差⁽²⁾	V_SENSE = 120mV，V_S = 16V			±0.75%	±2.2%
	總輸出誤差⁽²⁾	V_SENSE = 120mV，V_S = 16V，T_A = –40°C 至 125°C				±3.5%
	非線性誤差⁽³⁾	V_SENSE=20 mV 至 100 mV			±0.002%
R_O	輸出阻抗				1.5		?
C_LOAD	最大容性負載	無持續振蕩			10		nF
輸出 (V_SENSE < 20mV)⁽⁴⁾
	輸出	–16V ≤ V_CM < 0V	INA20x-Q1		300		mV
		0V ≤ V_CM ≤ V_S，V_S = 5V	INA200-Q1			0.4	V
			INA201-Q1			1	V
			INA202-Q1			2	V
		V_S < V_CM ≤ 80V	INA20x-Q1		300		mV
電壓輸出⁽⁵⁾
	輸出擺幅可達正電源軌	V_IN– = 11V，V_IN+ = 12V，T_A = –40°C 至 125°C			(V_S) – 0.15	(V_S) – 0.25	V
	輸出擺幅可達 GND⁽⁶⁾	V_IN– = 0V，V_IN+ = -0.5V，T_A = –40°C 至 125°C			(V_GND)0.004	(V_GND)0.05	V
頻率響應
BW	帶寬	C_LOAD = 5pF	INA200-Q1		500		kHz
			INA201-Q1		300		kHz
			INA202-Q1		200		kHz
	相位裕度	C_LOAD < 10nF			40		度
SR	壓擺率				1		V/μs
	穩定時間 (1%)	V_SENSE = 10mV_PP 至 100 mV_PP，C_LOAD = 5pF			2		μs
噪聲，RTI
	電壓噪聲密度				40		nV/√Hz

(1) 偏移電壓是根據在 20mV 和 100mV V_SENSE 下的輸出測量值推算得出。

(2) 總輸出誤差包括增益誤差和 V_OS 的影響。

(3) 線性度采用最佳直線擬合。

(4) 有關此操作的詳細信息，請參閱節 8.4中精度變化部分的內容。

(5) 具體請參閱圖 6-7。

(6) 根據設計確定。