ZHCSXK7 December 2024 ESD851-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關斷電壓 | IIO < 10nA，在工作溫度范圍內 | 36 | V | ||
| VBR | 擊穿電壓 | IIO = 10mA，I/O 至 GND 或 GND 至 I/O | 37.8 | V | ||
| ILEAK | 反向漏電流 | VIO = 36V，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 5 | 10 | nA | |
| VCLAMP | 浪涌鉗位電壓，tp = 8/20μs (2) | IPP = 1 A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 47 | V | ||
| IPP = 5 A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 64 | V | ||||
| IPP = 6.5A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 71 | V | ||||
| TLP 鉗位電壓，tp = 100ns | IPP = 16A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 56 | V | |||
| RDYN | 動態電阻(3) | IO 至 GND | 0.6 | Ω | ||
| GND 至 IO | ||||||
| CL | 線路電容 | VIO = 0V；? = 1MHz，IO 至 GND | 4.3 | 6 | pF | |