ZHCSXD1 November 2024 ESD501-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關斷電壓 | IIO < 10nA | -12 | 12 | V | |
| ILEAK | VRWM 下的漏電流 | VIO = ±12V，I/O 至 GND | 1 | 10 | nA | |
| VBR | 擊穿電壓，I/O 至 GND (1) | IIO = ±1mA | 13.2 | 15 | 18 | V |
| VCLAMP | 浪涌鉗位電壓，tp = 8/20μs (2) | IPP = 3A，I/O 至 GND | 23 | V | ||
| IPP = 3A，GND 至 I/O | 23 | V | ||||
| TLP 鉗位電壓，tp = 100ns(3) | IPP = ±4A (100ns TLP)，I/O 至 GND | 19.4 | V | |||
| IPP = ±16A (100ns TLP)，I/O 至 GND | 27 | V | ||||
| RDYN | 動態電阻 (4) | I/O 至 GND | 0.6 | Ω | ||
| GND 至 I/O | 0.6 | |||||
| CLINE | 輸入電容，IO 至 GND | VIO = 0V，f = 1MHz | 0.3 | 0.5 | pF | |