ZHCS219D July 2011 – December 2024 DRV8803
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | VM = 24V | 1.6 | 2.1 | mA | |
| VUVLO | VM 欠壓鎖定電壓 | VM 上升 | 8.2 | V | ||
| 邏輯電平輸入（具有磁滯功能的施密特觸發輸入） | ||||||
| VIL | 輸入低電壓 | 0.6 | 0.7 | V | ||
| VIH | 輸入高電壓 | 2 | V | |||
| VHYS | 輸入遲滯 | 0.45 | V | |||
| IIL | 輸入低電流 | VIN = 0 | -20 | 20 | μA | |
| IIH | 輸入高電流 | VIN = 3.3V | 100 | μA | ||
| RPD | 下拉電阻 | 100 | kΩ | |||
| nFAULT 輸出（漏極開路輸出） | ||||||
| VOL | 輸出低電壓 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| IOH | 輸出高泄漏電流 | VO = 3.3 V | 1 | μA | ||
| 低側 FET | ||||||
| RON | FET 導通電阻， HTSSOP 和 SOIC 封裝 | VM = 24V，IO = 700mA，TJ = 25°C | 0.5 | ? | ||
| VM = 24V，IO = 700mA，TJ = 85°C | 0.75 | 0.8 | ||||
FET 導通電阻，SOT-23-THN 封裝 | VM = 24V，IO = 700mA，TJ = 25°C | 0.4 | ? | |||
| VM = 24V，IO = 700mA，TJ = 85°C | 0.64 | |||||
| IOFF | 關斷狀態漏電流 | -50 | 50 | μA | ||
| 高側二極管 | ||||||
| VF | 二極管正向電壓 | VM = 24V，IO = 700mA，TJ = 25°C | 1.2 | V | ||
| IOFF | 關斷狀態漏電流 | VM = 24V，TJ = 25°C | -50 | 50 | μA | |
| 輸出 | ||||||
| tR | 上升時間 | VM = 24V，IO = 700mA，電阻負載 | 50 | 300 | ns | |
| tF | 下降時間 | VM = 24V，IO = 700mA，電阻負載 | 50 | 300 | ns | |
| 保護電路 | ||||||
| IOCP | 過流保護跳變電平 | 2.3 | 3.8 | A | ||
| tOCP | 過流保護抗尖峰脈沖時間 | 3.5 | μs | |||
| tRETRY | 過流保護重試時間 | 1.2 | ms | |||
| tTSD | 熱關斷溫度 | 裸片溫度(1) | 150 | 160 | 180 | °C |