ZHCSWC4C May 2024 – February 2025 DRV8161 , DRV8162
PRODUCTION DATA
DRV816x 系列器件集成了高側和低側 FET 柵極驅動器,能夠在半橋配置中驅動 N 溝道功率 MOSFET。自舉柵極驅動架構會在 PWM 開關期間生成高側柵極驅動器電壓。GVDD 引腳可同時為高側和低側柵極驅動器供電,并為 FET 設置 VGS 電壓。
DRV816x 器件支持半橋功率級架構。除了常規的 2 引腳 PWM、1 引腳 PWM 控制接口外,該器件還通過禁用擊穿保護并允許單獨控制高側和低側 FET 來提供獨立的 PWM 模式。在驅動電磁閥和開關磁阻電機時,獨立 FET 控制非常有用。DRV8162 和 DRV8162L 具有單獨的電源引腳(GVDD 和 GVDD_LS),可用于高側和低側 FET 柵極驅動器。通過向柵極驅動電源引腳添加外部電源開關,系統可支持安全轉矩關閉 (STO) 功能。