ZHCSNQ7D December 2020 – April 2025 DP83TG720R-Q1
PRODUCTION DATA
對于這些典型應用,請使用以下參數作為輸入參數:
| 設計參數 | 示例值 |
|---|---|
| VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| 去耦電容器 VDDIO(引腳 34) | 10nF、100nF |
| 去耦電容器 VDDIO(引腳 22) | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDIO 的組合鐵氧體磁珠 | BLM18HE102SN1 |
| VDDA | 3.3V |
| 去耦電容器 VDDA(引腳 11) | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDA 的鐵氧體磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| VDD1p0 | 1V |
| 去耦電容器 VDD1P0(引腳 9) | 10nF、100nF、2.2uF |
| 去耦電容器 VDDA(引腳 21) | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDD1P0 的組合鐵氧體磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| Vsleep | 3.3V |
| 直流阻斷電容器 (1) | 0.1μF |
| 共模扼流圈 |
Murata:DLW32MH101XT2 |
| 共模終端電阻器 (1) 2 | 1kΩ |
| MDI 耦合電容器 | 4.7nF |
| ESD 分流器 | 100kΩ |
| 參考時鐘 | 25MHz |