ZHCSB65A June 2013 – June 2014 CSD75207W15
PRODUCTION DATA.
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YZF|9
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
1 特性
- 雙路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 小型封裝尺寸 1.5mm x 1.5mm
- 柵極 - 源電壓鉗位
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù)大于 4kV
- 人體模型 (HBM) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A114
- 無鉛且無鹵素
- 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
2 應(yīng)用范圍
- 電池管理
- 電池保護(hù)
- 負(fù)載和輸入開關(guān)
3 說明
CSD75207W15 器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運(yùn)行的空間受限應(yīng)用。 此器件也已經(jīng)被授予美國(guó)專利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。
產(chǎn)品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VD1D2 | 漏極-漏極電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 2.9 | nC | |
| Qgd | 柵漏柵極電荷 | 0.4 | nC | |
| RD1D2（導(dǎo)通） | 漏極到漏極導(dǎo)通電阻 | VGS = –1.8V | 119 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 64 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 45 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閥值電壓 | -0.8 | V | |
訂購(gòu)信息(1)
| 器件 | 封裝 | 介質(zhì) | 數(shù)量 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD75207W15 | 1.5mm x 1.5mm 晶圓級(jí)封裝 | 7 英寸卷帶 | 3000 | 卷帶封裝 |
- 要了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
頂視圖 |
RD1D2（導(dǎo)通）與 VGS間的關(guān)系 |