ZHCSB65A June 2013 – June 2014 CSD75207W15
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 雙路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 小型封裝尺寸 1.5mm x 1.5mm
- 柵極 - 源電壓鉗位
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護大于 4kV
- 人體模型 (HBM) JEDEC 標準 JESD22-A114
- 無鉛且無鹵素
- 符合 RoHS 環保標準
2 應用范圍
- 電池管理
- 電池保護
- 負載和輸入開關
3 說明
CSD75207W15 器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內產生盡可能低的導通電阻和柵極電荷。 低導通電阻與小型封裝尺寸和低高度結合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應用。 此器件也已經被授予美國專利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。
產品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VD1D2 | 漏極-漏極電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 2.9 | nC | |
| Qgd | 柵漏柵極電荷 | 0.4 | nC | |
| RD1D2（導通） | 漏極到漏極導通電阻 | VGS = –1.8V | 119 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 64 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 45 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閥值電壓 | -0.8 | V | |
訂購信息(1)
| 器件 | 封裝 | 介質 | 數量 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD75207W15 | 1.5mm x 1.5mm 晶圓級封裝 | 7 英寸卷帶 | 3000 | 卷帶封裝 |
- 要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。
頂視圖 |
RD1D2（導通）與 VGS間的關系 |