ZHCSFB8B August 2016 – February 2022 CSD25485F5
PRODUCTION DATA
3 說明
該 29.7mΩ、-20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。
圖 3-1 典型器件尺寸產品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 2.7 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 0.56 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導通電阻 | VGS = -1.8V | 89 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 51 | |||
| VGS = -4.5V | 35 | |||
| VGS = –8V | 29.7 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.95 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25485F5 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto 1.53mm × 0.77mm 無引線 SMD | 卷帶包裝 |
| CSD25485F5T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -12 | V |
| ID | 持續漏極電流(1) | –3.2 | A |
| 持續漏極電流(2) | –5.3 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流(1)(3) | –31 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 0.5 | W |
| 功率耗散(2) | 1.4 | ||
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg | 工作結溫、 貯存溫度 | –55 至 150 | °C |
(1) 覆銅面積最小時的典型 RθJA = 245°C/W。
(2) 覆銅面積最大時的典型 RθJA = 90°C/W。
(3) 脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
圖 3-2 頂視圖