ZHCSDO8B May 2015 – February 2022 CSD25484F4
PRODUCTION DATA
3 說明
該 80mΩ、-20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。
圖 3-1 典型封裝尺寸產品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 1090 | pC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵漏極） | 150 | pC | |
| RDS(on) | 漏源 導通電阻 | VGS = –1.8V | 405 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 150 | |||
| VGS = –4.5V | 93 | |||
| VGS = -8.0V | 80 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.95 | V | |
器件信息
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝(1) | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25484F4 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto (0402) 1.00mm × 0.60mm 基板柵格陣列 (LGA) | 卷帶包裝 |
| CSD25484F4T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | –12 | V |
| ID | 持續漏極電流(1) | -2.5 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流(1)(2) | –22 | A |
| IG | 持續柵極鉗位電流 | -35 | mA |
| 脈沖柵極鉗位電流(2) | -350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人體放電模式 (HBM) | 4 | kV |
| 充電器件模型 (CDM) | 2 | ||
| TJ、 Tstg | 工作結溫， 貯存溫度 | –55 至 150 | °C |
(1) 典型 RθJA = 85°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安裝 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的銅焊盤時）。
0.071mm 厚的銅焊盤時）。
(2) 脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
圖 3-2 頂視圖