ZHCSCO2E May 2014 – January 2022 CSD23382F4
PRODUCTION DATA
此 66mΩ、12V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應用中的空間占用。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –12 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 1.04 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵漏極） | 0.15 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導通電阻 | VGS = -1.8V | 149 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 90 | |||
| VGS = -4.5V | 66 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.8 | V | |
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23382F4 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 基板柵格陣列 (LGA) | 卷帶包裝 |
| CSD23382F4T | 250 | 7 英寸卷帶 |
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –12 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±8 | V |
| ID | 持續漏極電流(1) | –3.5 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流，TA = 25°C(2) | –22 | A |
| IG | 持續柵極鉗位電流 | -35 | mA |
| 脈沖柵極鉗位電流(2) | -350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 2 | kV |
| 充電器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg | 運行結溫和 貯存溫度范圍 | -55 至 150 | °C |