ZHCSFD2B August 2016 – February 2022 CSD23285F5
PRODUCTION DATA
- 1特性
- 2應(yīng)用
- 3說(shuō)明
- 4Revision History
- 5Specifications
- 6Device and Documentation Support
- 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YJK|3
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
該 29mΩ、-12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中占用的空間。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET 的同時(shí)大幅減小封裝尺寸。
圖 3-1 典型器件尺寸產(chǎn)品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –12 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 3.2 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 0.48 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VGS = –1.5V | 64 | m? |
| VGS = -1.8V | 49 | |||
| VGS = -2.5V | 38 | |||
| VGS = -4.5V | 29 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | –0.65 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 數(shù)量 | 介質(zhì) | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23285F5 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto 1.53mm × 0.77mm 無(wú)引線 SMD | 卷帶式 |
| CSD23285F5T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
絕對(duì)最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –12 | V |
| VGS | 柵源電壓 | –6 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流(1) | –3.3 | A |
| 持續(xù)漏極電流(2) | –5.4 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流(1)(3) | –31 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 0.5 | W |
| 功率耗散(2) | 1.4 | ||
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg | 工作結(jié)溫、 貯存溫度 | –55 至 150 | °C |
(1) RθJA = 245°C/W（覆銅面積最小時(shí)的典型值）。
(2) RθJA = 90°C/W（覆銅面積最大時(shí)的典型值）。
(3) 脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
圖 3-2 頂視圖