ZHCS896I May 2009 – September 2018 CC430F5133 , CC430F5135 , CC430F5137 , CC430F6125 , CC430F6126 , CC430F6127 , CC430F6135 , CC430F6137
PRODUCTION DATA.
以下文檔介紹了 CC430F613x、CC430F612x 和 CC430F513x 器件。www.cqwzaes.cn 網站上提供了這些文檔的副本。
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勘誤
介紹功能規格的已知例外情況。
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用戶指南
詳細介紹了該器件系列提供的模塊和外設。
此用戶指南介紹如何將 TI Code Composer Studio IDE 與 MSP430 超低功耗微控制器結合使用。
MSP430 引導加載程序(BSL,之前稱為引導裝載程序)方便用戶在原型建模階段、最終生產和維修期間與 MSP430 微控制器中的嵌入式存儲器進行通信。可編程存儲器(閃存)和數據存儲器 (RAM) 能夠按照要求進行變更。不要將此處的引導加載程序與某些數字信號處理器 (DSP) 中將外部存儲器中的程序代碼(和數據)自動加載到 DSP 內部存儲器的引導裝載程序混為一談。
此文檔介紹了使用 JTAG 通信端口擦除、編程和驗證基于 MSP430 閃存和 FRAM 的微控制器系列的存儲器模塊所需的功能。此外,該文檔還介紹了如何編程所有 MSP430 器件上均具備的 JTAG 訪問安全保險絲。此文檔介紹了使用標準四線制 JTAG 接口和兩線制 JTAG 接口(也稱為 Spy-Bi-Wire (SBW))的器件訪問。
此手冊介紹了 TI MSP-FET430 閃存仿真工具 (FET) 的硬件。FET 是針對 MSP430 超低功耗微控制器的程序開發工具。文中對提供的接口類型,即并行端口接口和 USB 接口進行了說明。
應用報告
選擇合適的晶體、正確的負載電路和適當的電路板布局是實現穩定的晶體振蕩器的關鍵。該應用報告總結了晶體振蕩器的功能,介紹了用于選擇合適的晶體以實現 MSP430 超低功耗運行的參數。此外,還給出了正確電路板布局的提示和示例。此外,為了確保振蕩器在大規模生產后能夠穩定運行,還可能需要進行一些振蕩器測試,該文檔中提供了有關這些測試的詳細信息。
系統級 ESD 對于低電壓下的硅晶技術以及經濟高效型和超低功耗組件的需求日益增加。此應用報告重點討論了三個不同的 ESD 主題,以幫助板卡設計師和原始設備制造商 (OEM) 理解和設計穩健的系統級設計產品:(1) 組件級 ESD 測試和系統級 ESD 測試,二者的差異以及為何組件級 ESD 無法確保達到系統級的穩健性。(2) 系統級 ESD 保護在不同電平下的通用設計指南(包括外殼、電纜、PCB 布局和板載 ESD 防護器件)。(3) 介紹了系統高效 ESD 設計 (SEED)。這是一種板上和片上 ESD 保護協同設計的方法論,用于實現系統級 ESD 的穩健性,配備仿真示例和測試結果。另外,還討論了一些真實的系統級 ESD 保護設計示例及其成果。
此設計注釋提供了不同數據速率下 CC11xx(CC1100、CC1100E、CC1101、CC1110 和 CC1111)靈敏度與頻率偏移間的關系圖。所需的晶體精度通過這些圖進行計算。結果同樣適用于 CC430。
CC1101 是一款非常靈活且高度集成的射頻接發器,且成本非常低廉。CC1101 專為 315、433、868 和 915MHz SRD/ISM 頻段中的低功耗應用而設計。此應用手冊介紹了如何在歐洲 863 – 870MHz SRD 頻段中使用 CC1101,以符合 EN 300 220 標準的要求。此應用手冊還適用于 CC1110、CC1111 和 CC430 SoC,因為這些器件使用與 CC1101 相同的無線電。
此文檔介紹了如何在近距離 應用中使用 CC1100E 和 CC1101。在 250kbps 時,這些芯片的飽和限制約為 −15dBm,對于某些短距離 應用可能會面臨挑戰。文中給出了兩項建議解決方案,第一個是雙傳輸方案,第二個是在近距離接收過程中改變收發器動態范圍。
CC1101 RF 輸出功率級由 PATABLE 寄存器設置來設定。此寄存器設置還會影響不同諧波的功率級以及器件的電流消耗。因此,在選擇最佳寄存器設置時必須考慮這些參數。此文檔提供了完整的 CC1101 PA 表格,其中包含在 25°C 和 3.0V 電源電壓下不同寄存器設置所對應的典型輸出功率、諧波和電流消耗。
此設計注釋簡要介紹了使用 CC11xx 器件進行產品設計時的射頻匹配和重要方面。由于所有 CC11xx 器件都具有相同的射頻前端,因此可在無線電和天線之間使用同一個匹配網絡。TI 針對所有 CC11xx 產品提供參考設計。這些參考設計顯示了匹配網絡中去耦電容器和組件的建議位置和值。