ZHCSU32 December 2023 BQ25750
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 說(shuō)明（續(xù)）
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRV|36
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRV|36
訂購(gòu)信息
6 引腳配置和功能
圖 6-1 BQ25750 RRV 封裝36 引腳 VQFN頂視圖表 6-1 引腳功能
| 引腳 | I/O | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱(chēng) | 編號(hào) | ||
| SCL | 1 | I | I2C 接口時(shí)鐘 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。 |
| SDA | 2 | IO | I2C 接口數(shù)據(jù) – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。 |
| INT | 3 | O | 開(kāi)漏中斷輸出 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 INT 引腳連接到邏輯軌。INT 引腳向主機(jī)發(fā)送一個(gè)低電平有效的 256μs 脈沖，以報(bào)告充電器器件狀態(tài)和故障。 |
| STAT1 | 4 | O | 開(kāi)漏充電狀態(tài) 1 輸出 – STAT1 和 STAT2 表示各種充電器操作，請(qǐng)參閱表 8-6。通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當(dāng) DIS_STAT_PINS 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 STAT1、STAT2 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT1_ON 位用作通用指示器。 |
| STAT2 | 5 | O | 開(kāi)漏充電狀態(tài) 2 輸出 – STAT1 和 STAT2 表示各種充電器操作，請(qǐng)參閱表 8-6。通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當(dāng) DIS_STAT_PINS 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 STAT1、STAT2 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT2_ON 位用作通用指示器。 |
| PG | 6 | O | 開(kāi)漏低電平有效電源正常狀態(tài)指示器 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。如果 VAC 在編程的 ACUV/ACOV 操作窗口內(nèi)，則 LOW 表示輸入源良好。當(dāng) DIS_PG_PIN 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 PG 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT3_ON 位用作通用指示器。 |
| CE | 7 | IO | 低電平有效充電使能引腳 – 當(dāng) EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時(shí)，會(huì)啟用電池充電。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平，不要保持懸空。當(dāng) DIS_CE_PIN 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 CE 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT4_ON 位用作通用指示器。 |
| TS | 8 | I | 溫度鑒定電壓輸入 – 連接負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。使用從 REGN 到 TS 再到 PGND 的電阻分壓器對(duì)溫度窗口進(jìn)行編程。當(dāng) TS 引腳電壓超出范圍時(shí)，充電暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。 |
| ICHG | 9 | I | 充電電流限制設(shè)置 – ICHG 引腳設(shè)置最大充電電流，并可用于監(jiān)測(cè)充電電流。連接到 PGND 的編程電阻用于將充電電流限制設(shè)置為 ICHG = KICHG / RICHG。當(dāng)器件處于充電電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，ICHG 引腳電壓為 VREF_ICHG。當(dāng) ICHG 引腳電壓小于 VREF_ICHG 時(shí)，實(shí)際充電電流可按下式計(jì)算：IBAT = KICHG x VICHG / ( RICHG x VREF_ICHG)。實(shí)際充電電流限制是 ICHG 引腳或 ICHG_REG 寄存器位設(shè)置的限制中的較低者。當(dāng) EN_ICHG_PIN 位為 0 時(shí)，可以禁用該引腳功能。如果不使用 ICHG 引腳，該引腳應(yīng)拉至 PGND，不要懸空。 |
| ILIM_HIZ | 10 | I | 輸入電流限制設(shè)置和高阻態(tài)模式控制引腳 – ILIM_HIZ 引腳設(shè)置最大輸入電流限制，可用于監(jiān)測(cè)輸入電流，并可拉至高電平以強(qiáng)制器件進(jìn)入高阻態(tài)模式。連接到 PGND 的編程電阻用于將輸入電流限制設(shè)置為 ILIM = KILIM / RILIM。當(dāng)器件處于輸入電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，ILIM_HIZ 引腳上的電壓為 VREF_ILIM。當(dāng) ILIM_HIZ 引腳電壓小于 VREF_ILIM 時(shí)，實(shí)際輸入電流可按下式計(jì)算：IAC = KILIM x VILIM / ( RILIM x VREF_ILIM)。實(shí)際輸入電流限制是 ILIM_HIZ 引腳或 IAC_DPM 寄存器位設(shè)置的限制中的較低者。當(dāng) EN_ILIM_HIZ_PIN 位為 0 時(shí)，可以禁用該引腳功能。如果不使用 ILIM_HIZ 引腳，該引腳應(yīng)拉至 PGND，不要懸空。 |
| FBG | 11 | I | 電壓反饋分壓器返回 – 連接到電池反饋電阻的底部。充電時(shí)，該引腳在內(nèi)部被驅(qū)動(dòng)至 PGND。當(dāng)輸入電壓超出 ACUV/ACOV 工作窗口時(shí)，該引腳處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，從而更大限度減少電池漏電流。 |
| FB | 12 | I | 充電電壓模擬反饋調(diào)節(jié) – 將電阻分壓器的輸出從電池端子連接到該節(jié)點(diǎn)，以調(diào)整輸出電池調(diào)節(jié)電壓。 |
| SRN | 13 | I | 充電電流檢測(cè)電阻，負(fù)輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRN 引腳和 PGND 之間放置一個(gè)可選的 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波。 |
| SRP | 14 | I | 充電電流檢測(cè)電阻，正輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRP 引腳和 PGND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波。 |
| BATDRV | 15 | O | N 溝道電池 FET 柵極驅(qū)動(dòng) – 直接連接到 BATFET 柵極。當(dāng)輸入電壓超出 ACUV/ACOV 工作窗口時(shí)，引腳以相對(duì)于 BATSRC 10V 的電壓驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，以打開(kāi) BATFET。BATDRV 至 BATSRC 之間的可選電容器可用于減慢開(kāi)啟轉(zhuǎn)換。 |
| BATSRC | 16 | I | N 溝道電池 FET 源 – 直接連接到 BATFET 共源。 |
| PGND | 17 | I | 將該引腳直接連接到 PGND。 |
| SW2 | 18 | P | 升壓側(cè)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) – 連接到升壓 HS FET 的源極和升壓 LS FET 的漏極。在 SW1 和 SW2 之間連接電感器。 |
| HIDRV2 | 19 | O | 升壓側(cè)高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到升壓高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| BTST2 | 20 | P | 升壓側(cè)高側(cè)功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 BTST2 和 SW2 之間連接一個(gè)電容器，為高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器提供偏置。 |
| LODRV2 | 21 | O | 升壓側(cè)低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到升壓低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| PGND | 22 | P | 電源接地回路 – 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的高電流接地連接。 |
| DRV_SUP | 23 | P | 充電器柵極驅(qū)動(dòng)電源輸入 – 該引腳上的電壓用于驅(qū)動(dòng)降壓/升壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān) FET 的柵極。在 DRV_SUP 和電源地之間連接一個(gè) 4.7μF 陶瓷電容器。通過(guò)將 REGN 連接到 DRV_SUP 引腳，REGN LDO 電壓可用作所有開(kāi)關(guān) FET 的柵極驅(qū)動(dòng)器電源。在高壓應(yīng)用中，可以通過(guò)外部電源直接提供高達(dá) 12V 的 DRV_SUP 電壓，以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)效率。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.3.2。 |
| REGN | 24 | P | 充電器內(nèi)部線性穩(wěn)壓器輸出 – 在 REGN 與電源地之間連接一個(gè) 4.7μF 陶瓷電容器。通過(guò)將 REGN 連接到 DRV_SUP 引腳，REGN LDO 電壓可用作所有開(kāi)關(guān) FET 的柵極驅(qū)動(dòng)器電源。在高壓應(yīng)用中，可以通過(guò)外部電源直接提供高達(dá) 12V 的 DRV_SUP 電壓，以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)效率。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.3.2。 |
| LODRV1 | 25 | O | 降壓側(cè)低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到降壓低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| BTST1 | 26 | P | 降壓側(cè)高側(cè)功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 BTST1 和 SW1 之間連接一個(gè)電容器，為高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器提供偏置。 |
| HIDRV1 | 27 | O | 降壓側(cè)高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到降壓高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| SW1 | 28 | P | 降壓側(cè)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) - 連接到降壓 HS FET 的源極和降壓 LS FET 的漏極。在 SW1 和 SW2 之間連接電感器。 |
| ACN | 29 | I | 適配器電流檢測(cè)電阻，負(fù)輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACN 引腳和 PGND 之間放置一個(gè)可選的 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波。 |
| ACP | 30 | I | 適配器電流檢測(cè)電阻，正輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACP 引腳和 PGND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波 |
| ACDRV | 31 | O | N 溝道輸入 FET 柵極驅(qū)動(dòng) – 直接連接到背對(duì)背輸入 FET (ACFET) 柵極。當(dāng)輸入電壓位于 ACUV/ACOV 工作窗口內(nèi)時(shí)，引腳以 10V 電壓驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O以打開(kāi) ACFET。如果輸入電壓超出有效工作窗口，該引腳將拉至 PGND 以關(guān)閉 FET。將 15V 齊納二極管從 ACDRV 連接到 ACFET 的共源。 |
| SYS | 32 | I | 系統(tǒng)電壓檢測(cè)點(diǎn) – 系統(tǒng)電壓的檢測(cè)點(diǎn)。如果 VAC 超出 ACUV/ACOV 工作窗口，則僅當(dāng) SYS 電壓低于電池電壓（理想二極管導(dǎo)通）時(shí)，BATFET 才會(huì)導(dǎo)通。啟用反向模式時(shí)，該引腳電壓將調(diào)節(jié)至 VSYS_REV。 |
| VAC | 33 | P | 輸入電壓檢測(cè)和電源 – VAC 是為 IC 供電的輸入偏置。在引腳和 PGND 之間連接一個(gè) 1μF 電容器。 |
| ACUV | 34 | I | 輸入欠壓比較器 – 在 VAC 和 PGND 之間連接一個(gè)電阻分壓器以對(duì)欠壓保護(hù)進(jìn)行編程。當(dāng)該引腳低于 VREF_ACUV 時(shí)，器件停止充電，禁用 ACFET 并啟用 BATFET。輸入電壓調(diào)節(jié)基準(zhǔn)的硬件限制為 VACUV_DPM。實(shí)際輸入電壓調(diào)節(jié)是引腳編程值和 VAC_DPM 寄存器值中的較高者。如果不使用 ACUV 編程，則將該引腳拉至 VAC，不要懸空。 |
| ACOV | 35 | I | 輸入過(guò)壓比較器 – 在 VAC 和 PGND 之間連接一個(gè)電阻分壓器以對(duì)過(guò)壓保護(hù)進(jìn)行編程。當(dāng)該引腳升至高于 VREF_ACOV 時(shí)，器件停止充電，禁用 ACFET 并啟用 BATFET。如果不使用 ACOV 編程，則將該引腳拉至 PGND，不要懸空。 |
| FSW_SYNC | 36 | I | 開(kāi)關(guān)頻率和同步輸入 – 將外部電阻連接到 FSW_SYNC 引腳和 PGND 以設(shè)置標(biāo)稱(chēng)開(kāi)關(guān)頻率。該引腳還可用于將 PWM 控制器與頻率為 200kHz 至 600kHz 的外部時(shí)鐘同步。 |
| 散熱焊盤(pán) | 37 | - | IC 下方的裸露焊盤(pán) – 始終將散熱焊盤(pán)焊接到電路板上，并在散熱焊盤(pán)平面上通過(guò)過(guò)孔星形連接到 PGND 和大電流電源轉(zhuǎn)換器的接地平面。它還用作散熱焊盤(pán)以進(jìn)行散熱。 |