ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
| 15-10 | 9-8 | ||||||
| IDCHG_VTH | IDCHG_DEG | ||||||
| R/W | R/W | ||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| PP_VDPM | PROCHOT_PROFILE_IC | PP_ICRIT | PP_INOM | PP_IDCHG | PP_VSYS | PP_BATPRES | PP_ACOK |
| R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W |
| 說(shuō)明：R/W = 讀/寫(xiě)；R = 只讀；-n = 復(fù)位后的值 |
當(dāng) REG0x34h[7:0] 設(shè)置為禁用時(shí)，將不再在 PROCHOT 狀態(tài)寄存器 REG0x21h[7:0] 中報(bào)告與該位關(guān)聯(lián)的 PROCHOT 事件，如果發(fā)生該事件，PROCHOT 引腳將不再拉至低電平。
| SMBus 位 |
字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-10 | IDCHG_VTH | R/W | 100000b | IDCHG 閾值 6 位，范圍，范圍為 0A 至 32256mA，階躍 512mA。有一個(gè) 128mA 的偏移量 測(cè)量 SRN 和 SRP 之間的電流。 當(dāng)放電電流高于閾值時(shí)觸發(fā)。 如果該值編程為 000000b，則始終會(huì)觸發(fā) PROCHOT。 默認(rèn)值： 16384mA 或 100000b |
| 9-8 | IDCHG_DEG | 讀/寫(xiě) | 01b | 典型 IDCHG 抗尖峰脈沖時(shí)間 00b：2ms 01b：130μs <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 10b：8ms 11b：16ms |
| SMBus 位 |
字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | PROCHOT _PROFILE_VDPM |
R/W | 1b | PROCHOT 曲線 當(dāng)所有 REG0x34[7:0] 位都為 0 時(shí)，將禁用 PROCHOT 函數(shù)。 Bit7 PP_VDPM 檢測(cè) VBUS 電壓 0b：禁用 1b：?jiǎn)⒂?<POR 時(shí)的默認(rèn)值> |
| 6 | PROCHOT _PROFILE_COMP |
R/W | 0b | 0b：禁用 <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：?jiǎn)⒂?/p> |
| 5 | PROCHOT _PROFILE_ICRIT |
R/W | 1b | 0b：禁用 1b：?jiǎn)⒂?<POR 時(shí)的默認(rèn)值> |
| 4 | PROCHOT _PROFILE_INOM |
R/W | 0b | 0b：禁用 <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：?jiǎn)⒂?/p> |
| 3 | PROCHOT _PROFILE_IDCHG |
R/W | 0b | 0b：禁用 <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：?jiǎn)⒂?/p> |
| 2 | PROCHOT _PROFILE_VSYS |
R/W | 0b | 0b：禁用 <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：?jiǎn)⒂?/p> |
| 1 | PROCHOT _PROFILE_BATPRES |
R/W | 0b | 0b：禁用 <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：?jiǎn)⒂茫ㄓ|發(fā)單穩(wěn)態(tài)下降沿） 如果取出電池后在 PROCHOT 中啟用了 BATPRES，它將立即發(fā)出單穩(wěn)態(tài) PROCHOT 脈沖。 |
| 0 | PROCHOT _PROFILE_ACOK |
R/W | 0b | 0b：禁用 <POR 時(shí)的默認(rèn)值> 1b：?jiǎn)⒂?/p> ChargeOption0[15] = 0，可在移除適配器后將 PROCHOT 脈沖置為有效。 如果移除適配器后在 PROCHOT 中啟用了 PROCHOT_PROFILE_ACOK，則會(huì)將其拉至低電平。 |