ZHCSXI2 November 2024 BQ25188
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
在運(yùn)行過程中，為了防止器件因過熱而損壞，會監(jiān)控裸片的結(jié)溫 TJ。當(dāng) TJ 達(dá)到 TSHUT_RISING 時，器件停止充電操作，并且 VSYS 關(guān)閉。如果在向器件（電池或適配器）供電之前 TJ > TSHUT_RISING，無論 TSMR 引腳如何，輸入 FET 和 BATFET 都不會導(dǎo)通。此后，當(dāng)溫度降至低于 TSHUT_FALLING 時，如果存在 VIN 或處于僅電池模式，器件將自動上電。
設(shè)計充電系統(tǒng)時，應(yīng)考慮輸入電壓、充電電流和系統(tǒng)負(fù)載等熱效應(yīng)注意事項。它的設(shè)計應(yīng)使器件能夠定期達(dá)到 TSHUT。相反，器件結(jié)溫應(yīng)限制在建議運(yùn)行溫度條件下。
在充電過程中，為了防止器件過熱，器件會監(jiān)控裸片的結(jié)溫，并在 TJ 達(dá)到熱調(diào)節(jié)閾值 (TREG) 時根據(jù) THERM_REG 設(shè)置所設(shè)置的位減小充電電流。如果充電電流降至 0，則電池會提供為 SYS 輸出供電所需的電流。在 I2C 中可以選擇四種溫度設(shè)置，如節(jié) 7.5 所示。建議不要禁用該 THERM_REG 功能，尤其是在以高輸入電壓充電時。在高輸入電壓下拉高電流可能會導(dǎo)致器件超過絕對最高結(jié)溫額定值，并可能損壞器件。
確保系統(tǒng)功率損耗在器件的限制范圍內(nèi)。可以使用以下公式計算器件的功率損耗：
PDISS = PSYS + PBAT，其中：
PSYS = (VIN – VSYS) * IIN
PBAT = (VSYS – VBAT) * IBAT
可使用以下公式，根據(jù)預(yù)期的電路板性能估算裸片結(jié)溫 TJ：
TJ = TA + θJA * PDISS
θJA 在很大程度上由電路板布局布線、電路板層、覆銅厚度和布局決定。.更多有關(guān)新舊熱指標(biāo)的信息，請參閱 IC 封裝熱指標(biāo)應(yīng)用報告。在典型條件下，處于這種狀態(tài)的時間非常短。