ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800
PRODUCTION DATA
在具有足夠的充電電流的情況下,電感器電流不會超過 0,這定義為 CCM。控制器會將 SRP-SRN(CC 充電)或 SRN(CV 充電)與 ChargeCurrent() REG0x14 和 ChargeVoltage() REG0x15 中設置的參考值進行比較。該誤差會集成在誤差放大器中,并將誤差放大器輸出 (EAO) 與斜坡電壓進行比較。只要 EAO 電壓高于斜坡電壓,高側 MOSFET (HSFET) 就會保持導通狀態。當斜坡電壓超過 EAO 電壓時,HSFET 關斷,低側 MOSFET (LSFET) 導通。在周期結束時,斜坡會復位且 LSFET 關斷,為下一個周期做好準備。在轉換過程中始終存在先斷后合邏輯,以防止跨導和擊穿。在兩個 MOSFET 均關斷的死區時間內,低側功率 MOSFET 的體二極管傳導電感器電流。
在 CCM 期間,電感器電流始終流動并形成固定的雙極系統。使 LSFET 導通將可保持較低的功耗,并允許在大電流下安全充電。