ZHCSRH1 january 2023 BQ21080
PRODUCTION DATA
在運行過程中,為了防止器件因過熱而損壞,會監(jiān)控裸片的結溫 TJ。當 TJ 達到 TSHUT_RISING 時,器件停止充電操作,并且 VSYS 關閉。如果在向器件(電池或適配器)供電之前 TJ > TSHUT_RISING,無論 TSMR 引腳如何,輸入 FET 和 BATFET 都不會導通。此后,當溫度降至低于 TSHUT_FALLING 時,如果存在 VIN 或處于僅電池模式,器件將自動上電。
在充電過程中,為了防止器件過熱,器件會監(jiān)控裸片的結溫,并在 TJ 達到熱調節(jié)閾值 (TREG) 時根據(jù) THERM_REG 設置所設置的位減小充電電流。如果充電電流降至 0,則電池會提供為 SYS 輸出供電所需的電流。可通過 I2C 禁用熱調節(jié)。
確保系統(tǒng)功率損耗在器件的限制范圍內。可以使用以下公式計算器件的功率損耗:
PDISS = PSYS + PBAT
其中:
PSYS = (VIN – VSYS) * IIN
PBAT = (VSYS – VBAT) * IBAT
可使用以下公式,根據(jù)預期的電路板性能估算裸片結溫 TJ:
TJ = TA + θJA * PDISS
θJA 在很大程度上取決于電路板布局布線。更多有關新舊熱指標的信息,請參閱 IC 封裝熱指標應用報告。在典型條件下,處于這種狀態(tài)的時間非常短。