ZHCSRL4A August 2024 – June 2025 AMC0106M05
PRODUCTION DATA
AMC0106M05 無(wú)需任何特定的上電時(shí)序。高側(cè)電源 (AVDD) 通過(guò)與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進(jìn)行去耦。低側(cè)電源 (DVDD) 同樣通過(guò)與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進(jìn)行去耦。將所有四個(gè)電容器(C1、C2、C3 和 C4)盡可能靠近器件放置。圖 7-4 展示了 AMC0106M05 的去耦圖。
在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下,電容器必須能夠提供足夠的有效電容。在實(shí)際條件下,通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標(biāo)稱電容的一小部分。因此在選擇這些電容器時(shí),應(yīng)考慮到這個(gè)因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重,在該類電容器中,電容器越薄,電介質(zhì)電場(chǎng)強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線,這大大簡(jiǎn)化了元件的選型。