TPS54116-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
- 器件溫度 1 級(jí)：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
- 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級(jí) 2
- 器件組件充電模式 (CDM) ESD 分類等級(jí) C6
- 單片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲(chǔ)器電源解決方案
- 4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 集成了 33mΩ 高側(cè)和 25mΩ 低側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)
- 固定頻率電流模式控制
- 可調(diào)頻率范圍：100kHz 至 2.5MHz
- 與一個(gè)外部時(shí)鐘同步
- 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的電壓基準(zhǔn)為 0.6V ± 1%
- 可調(diào)逐周期峰值電流限制
- 針對(duì)預(yù)偏置輸出的單調(diào)性啟動(dòng)
- 直流精度為 ±20mV 的 1A 拉/灌電流終端低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
- 與 2 × 10μF 多層陶瓷電容 (MLCC) 電容一起工作時(shí)保持穩(wěn)定
- 10mA 拉/灌電流緩沖參考輸出穩(wěn)定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之間
- 獨(dú)立使能引腳，欠壓閉鎖 (UVLO) 和遲滯均可調(diào)
- 熱關(guān)斷
- 運(yùn)行溫度 (TJ) 范圍：-40°C 至 150°C
- 24 引腳 4mm x 4mm 超薄四方扁平無(wú)引線 (WSON) 封裝
應(yīng)用
- 嵌入式計(jì)算系統(tǒng)中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲(chǔ)器電源
- SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 終端
- 信息娛樂(lè)和儀表板
- 先進(jìn)的駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)
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TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，其配有兩個(gè)集成型 MOSFET 以及帶 VTTREF 緩沖參考輸出的 1A 拉/灌電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT 終端穩(wěn)壓器。
TPS54116-Q1 降壓穩(wěn)壓器通過(guò)集成 MOSFET 和減小電感尺寸來(lái)最大限度減小解決方案尺寸，開(kāi)關(guān)頻率最高達(dá) 2.5MHz。開(kāi)關(guān)頻率可設(shè)置在中波頻段以上以滿足噪聲敏感型 應(yīng)用 的需求，而且能夠與外部時(shí)鐘同步。同步整流使頻率在整個(gè)輸出負(fù)載范圍內(nèi)保持為固定值。效率通過(guò)集成 25m? 低側(cè) MOSFET 和 33mΩ 高側(cè) MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值電流限制在過(guò)流狀態(tài)下保護(hù)器件，并且可通過(guò) ILIM 引腳上的電阻進(jìn)行調(diào)整，從而針對(duì)小尺寸電感進(jìn)行優(yōu)化。
VTT 終端穩(wěn)壓器僅利用 2 × 10µF 的陶瓷輸出電容即可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，從而減少外部組件數(shù)量。TPS54116-Q1 使用 VTT 進(jìn)行遠(yuǎn)程感測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)最佳的穩(wěn)壓效果。
該器件可利用使能引腳進(jìn)入關(guān)斷模式，從而使電源電流降至 1µA。欠壓閉鎖閾值可通過(guò)任一使能引腳上的電阻網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行設(shè)置。VTT 和 VTTREF 輸出被 ENLDO 禁用時(shí)會(huì)進(jìn)行放電。
該器件具備全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐熱增強(qiáng)型 WQFN 封裝，最大限度地減小了 IC 尺寸。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 輸入、4A 降壓轉(zhuǎn)換器和 1A 拉/灌電流 DDR 終端穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 最新英語(yǔ)版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2016年 10月 18日 |
| 用戶指南 | Single LP8733-Q1 User's Guide to Power DRA78x and TDA3 (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 3月 31日 | |||
| 應(yīng)用手冊(cè) | DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) | 2020年 7月 9日 | ||||
| 技術(shù)文章 | Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications | PDF | HTML | 2017年 6月 22日 | |||
| 技術(shù)文章 | Four design tips to obtain 2MHz switching frequency | PDF | HTML | 2016年 10月 3日 | |||
| EVM 用戶指南 | TPS54116EVM-830 4-A, 1-A, SWIFT? Regulator Evaluation Module | 2016年 8月 11日 |
設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)
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TPS54116-Q1EVM-830 — TPS54116-Q1 汽車 DDR 電源解決方案評(píng)估模塊
此評(píng)估模塊旨在演示使用 TPS54116-Q1 穩(wěn)壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)減小印刷電路板面積。外部分壓器能實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的輸出電壓。TPS54116-Q1 直流/直流轉(zhuǎn)換器是一款同步降壓轉(zhuǎn)換器，旨在為 DDR 存儲(chǔ)器終端提供高達(dá) 4A 的輸出和集成的 1A 拉電流/灌電流 LDO。
TIDA-00530 — 面向基于低功耗 TDA3x 的系統(tǒng)的汽車電源參考設(shè)計(jì)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RTW) | 24 | Ultra Librarian |
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