SN74LVC1G74

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具有清零和預(yù)置端的單路正邊沿觸發(fā)式 D 型觸發(fā)器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Technology family LVC Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Clock frequency (max) (MHz) 200 IOL (max) (mA) 32 IOH (max) (mA) -32 Supply current (max) (μA) 10 Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog
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SSOP (DCT) 8 11.8 mm2 2.95 x 4 UQFN (RSE) 8 2.25 mm2 1.5 x 1.5 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm2 2 x 3.1 X2SON (DQE) 8 1.4 mm2 1.4 x 1
  • 采用德州儀器 (TI) NanoFree? 封裝
  • 支持 5V VCC 運(yùn)行
  • 輸入接收高達(dá) 5.5V 的電壓
  • 支持向下轉(zhuǎn)換到 VCC
  • 電壓為 3.3V 時，tpd 最大值為 5.9ns
  • 低功耗，ICC 最大值為 10μA
  • 電壓為 3.3V 時，輸出驅(qū)動為 ±24mA
  • VOLP（輸出接地反彈）典型值 小于 0.8V（VCC = 3.3V、TA = 25°C 時）
  • VOHV（輸出 VOH 下沖）典型值 大于 2V（VCC = 3.3V、TA = 25°C 時）
  • Ioff 支持帶電插入、局部關(guān)斷模式和后驅(qū)動保護(hù)
  • 閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范
  • ESD 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2000V 人體放電模型
    • 200V 機(jī)器放電模型
    • 1000V 充電器件模型
  • 采用德州儀器 (TI) NanoFree? 封裝
  • 支持 5V VCC 運(yùn)行
  • 輸入接收高達(dá) 5.5V 的電壓
  • 支持向下轉(zhuǎn)換到 VCC
  • 電壓為 3.3V 時，tpd 最大值為 5.9ns
  • 低功耗，ICC 最大值為 10μA
  • 電壓為 3.3V 時，輸出驅(qū)動為 ±24mA
  • VOLP（輸出接地反彈）典型值 小于 0.8V（VCC = 3.3V、TA = 25°C 時）
  • VOHV（輸出 VOH 下沖）典型值 大于 2V（VCC = 3.3V、TA = 25°C 時）
  • Ioff 支持帶電插入、局部關(guān)斷模式和后驅(qū)動保護(hù)
  • 閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范
  • ESD 保護(hù)性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
    • 2000V 人體放電模型
    • 200V 機(jī)器放電模型
    • 1000V 充電器件模型

這款單路上升沿觸發(fā) D 類觸發(fā)器需在 1.65V 至 5.5V VCC 下運(yùn)行。

NanoFree™ 封裝技術(shù)是 IC 封裝概念的一項重大突破，它將硅晶片用作封裝。

預(yù)設(shè) (PRE) 或清零 (CLR) 輸入端的低電平將會設(shè)置或重置輸出，而不受其他輸入端的電平的影響。當(dāng) PRE 和 CLR 處于非活動狀態(tài)（高電平）時，數(shù)據(jù) (D) 輸入處滿足設(shè)置時間要求的數(shù)據(jù)將傳輸?shù)綍r鐘脈沖正向緣上的輸出處。時鐘觸發(fā)在一定電壓電平下發(fā)生，與時鐘脈沖的上升時間沒有直接關(guān)系。經(jīng)過保持時間間隔后，可以更改 D 輸入端的數(shù)據(jù)而不影響輸出端的電平。

該器件完全符合使用 Ioff 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用的規(guī)范要求。Ioff 電路禁用輸出，從而可防止其斷電時破壞性電流從該器件回流。

這款單路上升沿觸發(fā) D 類觸發(fā)器需在 1.65V 至 5.5V VCC 下運(yùn)行。

NanoFree™ 封裝技術(shù)是 IC 封裝概念的一項重大突破，它將硅晶片用作封裝。

預(yù)設(shè) (PRE) 或清零 (CLR) 輸入端的低電平將會設(shè)置或重置輸出，而不受其他輸入端的電平的影響。當(dāng) PRE 和 CLR 處于非活動狀態(tài)（高電平）時，數(shù)據(jù) (D) 輸入處滿足設(shè)置時間要求的數(shù)據(jù)將傳輸?shù)綍r鐘脈沖正向緣上的輸出處。時鐘觸發(fā)在一定電壓電平下發(fā)生，與時鐘脈沖的上升時間沒有直接關(guān)系。經(jīng)過保持時間間隔后，可以更改 D 輸入端的數(shù)據(jù)而不影響輸出端的電平。

該器件完全符合使用 Ioff 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用的規(guī)范要求。Ioff 電路禁用輸出，從而可防止其斷電時破壞性電流從該器件回流。
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應(yīng)用手冊 CMOS Power Consumption and CPD Calculation (Rev. B) 1997年 6月 1日
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設(shè)計和開發(fā)

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評估板

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引腳 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封裝的通用邏輯評估模塊

靈活的 EVM 設(shè)計用于支持具有 5 至 8 引腳數(shù)且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封裝的任何器件。
用戶指南: PDF
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仿真模型

SN74LVC1G74 IBIS Model

SCEM591.ZIP (52 KB) - IBIS Model
下載
參考設(shè)計

TIDA-010032 — 支持以太網(wǎng)和 6LoWPAN 射頻網(wǎng)狀等網(wǎng)絡(luò)的通用數(shù)據(jù)集中器參考設(shè)計

基于 IPv6 的電網(wǎng)通信正在成為智能儀表和電網(wǎng)自動化等工業(yè)市場和應(yīng)用領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)選擇。通用數(shù)據(jù)集中器設(shè)計提供一套基于 IPv6 的完整網(wǎng)絡(luò)解決方案，集成了以太網(wǎng)主干通信、6LoWPAN 射頻網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)、RS-485 等功能。這些基于 6LoWPAN 的網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)可解決一些關(guān)鍵問題，例如符合標(biāo)準(zhǔn)的互操作性、可靠性和遠(yuǎn)距離連接。此設(shè)計可實現(xiàn)使用通過以太網(wǎng)主干通信訪問的 Web 服務(wù)器來遠(yuǎn)程控制和監(jiān)控終端設(shè)備。它還提供 3.3V 和 5V 電壓軌以及多種外設(shè)接口，可通過擴(kuò)展實現(xiàn)更高的連接能力，例如寬帶電力線通信 (PLC)、蜂窩和 Wi-Fi? 連接。
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參考設(shè)計

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設(shè)計指南: PDF
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參考設(shè)計

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測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SSOP (DCT) 8 Ultra Librarian
UQFN (RSE) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
X2SON (DQE) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

支持和培訓(xùn)

視頻