ZHCY219 March 2025 DRV7308
高壓
生產工作電壓超過 650V 的器件存在一個特殊的挑戰。嚴格遵守有關引線間距和封裝設計的行業標準才能防止封裝外部產生電弧。在封裝內部，專用的模塑化合物等材料必須能夠在長時間的高溫、高濕和大偏置電壓條件下防止電介質擊穿。對封裝結構進行精確的電場分析有助于防止封裝內部產生電弧。
圖 17 顯示了采用 QFN 封裝的 LMG3624 650V、170mΩ GaN FET，它使用特殊的高壓塑料和引線間距。此外，集成了驅動器和保護功能的 LMG3650R035 650V、35mΩ GaN FET 采用帶有散熱焊盤的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，可支持高達 36A 的電流，而且具有更出色的散熱性能。
圖 17 650V、170mΩ GaN FET 采用 QFN 封裝，可在實現微型化的同時保持引線間距，以支持高電壓。TI 帶散熱焊盤的 TOLL 封裝中的 650V 35mΩ GaN FET 支持更高的電流，并改善了熱管理。