ZHCY219 March 2025 DRV7308
某些設計能夠從將多個硅節點集成到單個封裝中受益。例如,BQ40Z50-R2(請參閱 圖 19)等電池管理芯片通過堆疊硅,將低成本邏輯電平與閃存存儲器和高精度電壓測量結合在一起。
圖 19 TI 的 BQ40Z50-R2 電池管理 IC 在單個封裝中采用了兩種硅技術。多芯片封裝還可以提高器件中的硅密度。圖 20 展示了硅面積如何通過堆疊多個芯片和在模擬前端器件中使可用通道增加一倍,以超過封裝的物理尺寸。
圖 20 通過硅堆疊提高密度的多芯片模擬前端封裝。圖 21 顯示了模擬前端封裝的頂視圖,該封裝通過兩根導線將每個芯片連接到每條引線。
圖 21 模擬前端封裝的頂視圖。