通過(guò)元件創(chuàng)新來(lái)優(yōu)化寬帶隙 FET 性能

碳化硅 (SiC) MOSFET 或氮化鎵 (GaN) FET 等寬帶隙 FET 不僅可以替代硅 MOSFET，而且效率更高。在與硅 MOSFET 相同的電壓電平下，寬帶隙 FET 具有極低甚至沒(méi)有反向恢復(fù)電荷 (Q_rr)，并具有較低的導(dǎo)通電阻，如圖 1 所示。

此外，寬帶隙 FET 的幾乎所有其他寄生效應(yīng)（包括柵極電荷 (Q_g) 和輸出電容 (C_oss) 都比硅 MOSFET 弱很多，因此開(kāi)關(guān)速度很快：轉(zhuǎn)換率超過(guò) 150V/ns，而超結(jié)硅 MOSFET 的轉(zhuǎn)換率小于 80V/ns。開(kāi)關(guān)速度越快，電源開(kāi)關(guān)的開(kāi)通或關(guān)斷所需的時(shí)間就越短，開(kāi)關(guān)損耗也更低。