ZHCUCN0 December 2024
3.4.5 短路檢測 - DESAT
電路板上的短路檢測系統(tǒng)可在發(fā)生短路事件時(shí)提供保護(hù)。當(dāng)檢測到短路時(shí)，柵極驅(qū)動器會通過 SSD 引腳灌入指定大小的電流，該電流可通過 SSD 引腳外部電阻器進(jìn)行編程。FLT 標(biāo)志也將在初級側(cè)升高。如果未使用短路檢測系統(tǒng)或 IGBT/MOSFET 未連接到電路板，則 J1 和 J2 應(yīng)分別短接至高側(cè)和低側(cè) COM 以防止錯(cuò)誤地觸發(fā)短路。
VDS 電壓檢測閾值可通過本常見問題解答中提到的以下公式計(jì)算得出：
使用 9V 內(nèi)部 DESAT 檢測閾值、兩個(gè)正向電壓均為 0.6V 的 STTH122A 二極管、1kΩ 限流電阻、具有 2.7V 齊納電壓的齊納二極管和 2mA 內(nèi)部充電電流時(shí)，Vds DESAT 檢測閾值計(jì)算結(jié)果為 3.1V。如果需要另一個(gè) Vds 電壓檢測閾值，請調(diào)整限流電阻的大小和齊納二極管的齊納電壓。
在該 EVM 中，實(shí)施了此常見問題解答中提到的方法，以便在發(fā)生短路事件時(shí)增大 DESAT 充電電流。增大 DESAT 充電電流可以縮短電容器的消隱時(shí)間，并為 SiC MOSFET 提供更好的保護(hù)。此電路的消隱時(shí)間可通過同一常見問題解答中提到的公式計(jì)算得出，計(jì)算結(jié)果為 115ns。此消隱時(shí)間計(jì)算公式對于 VDD = 20V 有效；如果使用另一個(gè) VDD 值，則消隱時(shí)間會有所不同。
圖 3-7 DESAT 電路