ZHCACF4 March 2023 INA901-SP , TPS7H5001-SP , TPS7H5002-SP , TPS7H5003-SP , TPS7H5004-SP
設計目標
| 輸入 | 過流條件 | 輸出 | 電源 | 電離總劑量 | 單粒子抗擾度 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Iload,最小值 | Iload,最大值 | IOC_TH | Vout_OC | VS | TID | SEL |
| 10A | 20 A | 21 A | 2.1V | 5V | 50krad (Si) | 75MeV × cm2/mg |
設計說明
這是一種單向電流檢測設計,通常稱為過流保護 (OCP),可提供過流警報信號以對超過閾值電流的系統斷電。在此特定設計中,正常工作負載為 10A 至 20A。當 TPS7H500x-SP 的 FAULT 引腳達到 0.6V 時,該設計的過流閾值將觸發。TPS7H500x-SP 是一系列 PWM 控制器,它們提供許多的特性有利于設計面向太空應用的直流/直流轉換器拓撲。這些器件具有內置遲滯功能,當系統中恢復有效的 PWM 時,器件將保持有效關斷狀態,直到該值恢復到低于 0.5V。完整 TPS7H500x-SP 系列及其各種特性在 TPS7H500x-SP 器件比較表中列出。
| 器件 | 主要輸出 | 同步整流器輸出 | 死區時間設置 | 前沿消隱時間設置 | 占空比限制選項 |
|---|---|---|---|---|---|
| TPS7H5001-SP | 2 | 2 | 電阻器可編程 | 電阻器可編程 | 50%、75%、100% |
| TPS7H5002-SP | 1 | 1 | 電阻器可編程 | 電阻器可編程 | 75%、100% |
| TPS7H5003-SP | 1 | 1 | 固定(典型值 50ns) | 固定(典型值 50ns) | 75%、100% |
| TPS7H5004-SP | 2 | 0 | N/A | 電阻器可編程 | 50% |
為實現預期結果,此設計將用于監控初級的 INA901-SP 的輸出衰減到一個精密分壓器,該分壓器在計算得出的過流點觸發,以根據系統中產生的熱量優化設計中的誤差。
TPS7H500x-SP 在 4V 至 14V 的 VIN 下工作,而 INA901-SP 在 2.7V 至 16V 的單電源下工作,從而支持兩個器件均可在相同電源幅度下工作的多個設計用例。出于本設計的目的,INA901-SP 由單個 5V 電源軌供電。OCP 可以應用于高側和低側拓撲。此電路中介紹的設計是高側實現方案,共模電壓 (VCM) 表示 5V 至 28V 之間的理想電壓電源。該電路可用于 TPS7H500x-SP 周圍的遙測、運行狀況監控和系統診斷等。除了此功能外,此電路還實現了 INA901-SP 耐輻射加固保障 (RHA) 器件,在低劑量率下為 50krad(Si),也即,在 125°C 下的單粒子閂鎖 (SEL) 抗擾度可達 75MeV-cm2/mg。TPS7H500x-SP 系列器件為 RHA 器件,在低劑量率下為 100krad(Si),也就是說,在 125°C 下的 SEL 抗擾度也達到 75MeV-cm2/mg。
設計說明
設計步驟
此處的計算值為 11.43mΩ,從 E 標準制造值的角度來看,這很不方便。因此,為此設計選擇了 10mΩ 的分流電阻器值,該值對應于 4.2V 的計算過流點。然而,在熱約束隨著電阻成比例增加的折衷條件下,設計為輸出最大值可更好地利用滿量程范圍。以下公式給出了分流電阻器中最壞情況下的功耗:
如曲線所示,對于最大額定負載,該分流電阻器能夠處理的最高溫度大概為 105°C。對于 125°C 的應用,根據曲線信息,分流電阻器只能處理原始額定功率的 60%。根據計算出的最大值,這表明所選分流電阻器的額定功率選擇正確,如以下公式所示。
這一計算結果表明,如果這是所選擇的分流電阻器,則需要從該數據表中選擇額定功率至少為 7.33W 的產品,以在額定溫度范圍的高端提供分流承受能力。為增強此設計的穩健性,還可以增加額外的裕量。這些數字并不是所有分流電阻器的標準;這些工作點因電阻器而異。這些數字還可以包括額外的數據點和標準,例如允許擴展范圍的覆蓋物或散熱器。請參閱預期分流電阻器和設計的數據表,以確保它適合設計需求。
通常,計算得出的電阻器值并不是直接與可選的電阻器相對應。這里,60kΩ 并不是標準值,最接近的標準值是 59.7kΩ。這種選擇會在 OCP 點上另外增加 0.5% 的誤差,并且需要進行設計選擇,以確定該誤差是否可接受。某些 60kΩ 選項確實存在,但通常成本更高,因為這些選項不是標準值。出于本設計的目的,選擇 60kΩ 將以額外的成本為代價。選擇這兩個電阻器時,容差均為 0.1%。如果設計決策是接受此誤差,請始終向下舍入到最接近的標準值,以避免將過流點設置為高于預期目標,而可能導致無法在指定點跳閘。
誤差公式中的另一 部分誤差通常涉及額外的外部因素,例如衰減電阻器的容差。如曲線所示,當電壓偏離 12V 數據表條件(即 INA901-SP 的標稱共模工作點)時,誤差會根據電路的 VCM 而增加,表現為以輸入為基準的附加失調電壓誤差。通過提供更大的電源電壓并將過流點設計為進一步遠離失調電壓,可以獲得額外的精度,但這會帶來分流電阻器上熱量增加的挑戰,因為生成的檢測電壓與分流電阻器中產生的熱量成正比。
設計仿真
瞬態仿真和基準測試結果
如 INA901 TINA-TI 仿真結果所示,通過將所需的 4.2V 輸出電壓映射到所需的 0.6V FAULT 觸發器,設計得到了確認。然后,根據基準實施了該設計。
在 INA901-SP 瞬態響應基準測試中,INA901-SP 的階躍輸入從 60mVSENSE 更改為 250mVSENSE,模擬了負載的短路,并檢查輸出響應。如曲線所示,從事件開始到 PWM 輸出關斷的時間大概為 6μs。根據 INA901-SP 的斜升,可以進行插值,以使臨界觸發和 OUTA 關斷之間的時間大概為 2μs,這與 TPS7H500x-SP 的預期性能一致,如 TPS7H500x-SP FAULT 引腳響應時間所示。
設計參考資料
請觀看“TI 精密實驗室”的電流檢測放大器 系列視頻。
| INA901-SP | |
|---|---|
| VS | 2.7V 至 16V |
| VCM | -15 V 至 65 V |
| VOUT | GND + 3mV 至 VS – 50mV,典型值 |
| VOS | ±500μV,典型值 |
| Iq | 350μA,典型值 |
| IB | ±8μA,典型值 |
| TID 特性(無 ELDRS) | 50krad (Si) |
| 針對 LET 的 SEL 抗擾度 | 75MeV-cm2/mg |
對于不太嚴苛的輻射環境,TI 還提供了 INA240-SEP,該器件在 125°C 時的 SEL 抗擾度可達 43MeV-cm2/mg。該器件在 30krad(Si) 的條件下無 ELDRS,并且每個晶圓批次的電離總劑量 (TID) RLAT 高達 20krad(Si):
| INA240-SEP | |
|---|---|
| VS | 2.7V 至 5.5V |
| VCM | -4V 至 80V |
| VOUT | GND + 1mV 至 VS – 50mV,典型值 |
| VOS | ±5μV,典型值 |
| Iq | 1.8 mA,典型值 |
| IB | ±90μA,典型值 |
| TID 特性(無 ELDRS) | 30krad (Si) |
| 針對 LET 的 SEL 抗擾度 | 43MeV-cm2/mg |