ZHCAAB9E February 2021 – March 2021 TPS1H000-Q1 , TPS1H100-Q1 , TPS1H200A-Q1 , TPS1HA08-Q1 , TPS25200-Q1 , TPS27S100 , TPS2H000-Q1 , TPS2H160-Q1 , TPS2HB16-Q1 , TPS2HB35-Q1 , TPS2HB50-Q1 , TPS4H000-Q1 , TPS4H160-Q1
TI 的智能高側開關可用于驅動并維持通常高達 4mF 的大容量電容性負載。根據上電時的上升時間,此負載輸出電容會導致大浪涌電流,而這些浪涌電流僅受接線和互連中存在的寄生電阻和電感的限制。某些情況下的浪涌電流會超過 100A。像這樣的高電流可能會導致輸入電源電壓下降,從而損害系統中的其他電路或導致故障。
為了防止出現這些問題,可使用智能高側開關來限制電流并通過對電容性負載進行線性充電來降低浪涌電流。為了使用智能高側開關有效驅動電容性負載,有必要了解開關在限制電流時的熱耗散影響,因為可在器件內部觀察到大功率水平。在理論上正確理解充電過程以及實際理解對智能高側開關的選擇,使工程師能夠設計出合適的輸出級,確保輸出級具有安全高效的電容性負載驅動,同時最大限度地降低系統成本。
在本部分中,我們將深入探討驅動電容性負載時需要考慮的因素。在研究用于限制浪涌電流的智能高側開關的系統優勢之前,我們將首先討論一些存在電容性負載的應用。然后,我們將探討驅動電容性負載在智能高側開關中產生的熱沖擊,以及如何在系統中減輕這種影響。最后,我們將討論如何根據特定的負載曲線,選擇合適的高側開關。