由于本器件配備了一個額外的寬體，設計人員必須密切關注 PCB 布局，以便實現出色性能。以下是一些主要的指導準則：
- 組件放置：
- 必須在 VCC1 和 GND1 引腳之間及 VCC2 和 VEE2 之間靠近器件的位置連接低 ESR 和低 ESL 電容器，以旁路噪聲并在外部功率晶體管導通時支持高峰值電流。
- 為了避免連接到開關節點的 VEE2 引腳上產生較大的負瞬態，必須最大程度地減小頂部晶體管源極和底部晶體管源極之間的寄生電感。
- 強烈建議將此器件與至少 5Ω 的柵極電阻器一起使用，以確保穩健性更好。
- 在下一節中的布局示例中會顯示所建議的布局，這對于確保穩健的性能至關重要。
- 接地注意事項：
- 將對晶體管柵極進行充電和放電的高峰值電流限制在最小的物理區域內，這一點至關重要。該限制可降低環路電感并最大程度地降低晶體管柵極端子上的噪聲。柵極驅動器必須盡可能靠近晶體管放置。
- 高電壓注意事項：
- 為確保初級側和次級側之間的隔離性能，請避免在驅動器器件下方放置任何 PCB 跡線或銅。建議使用 PCB 切口或凹槽，以防止污染影響隔離性能。
- 散熱注意事項：
- 如果驅動電壓較高、負載較重或開關頻率較高，那么 UCC5350L-Q1 可能會耗散較大的功率。適當的 PCB 布局有助于將器件產生的熱量散發到 PCB，并最大限度地降低結到電路板的熱阻抗 (θJB)。
- 建議增加連接到 VCC2 和 VEE2 引腳的 PCB 銅，優先最大程度地增加到 VEE2 的連接。不過，必須考慮前面提到的高電壓 PCB。
- 如果系統有多個層，TI 還建議通過具有足夠尺寸的通孔將 VCC2 和 VEE2 引腳連接到內部接地或電源平面。這些通孔必須靠近 IC 引腳，以更大限度地提高熱導率。不過，請記住，不要重疊來自不同高電壓平面的跡線或銅。