11 修訂歷史記錄

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (October 2015)to RevisionD (July 2024)

• 更改了文檔標題以反映器件的主要特性。Go
• 更改了若干規格以反映器件特性。Go
• 從數據表中刪除了 8 引腳 SOIC 和 10 引腳 SON 封裝Go
• 更改了“特性”部分：1) 將結溫范圍規格從“-40°C 至 140°C”更改為“-40°C 至 150°C”。2) 刪除了 HBM 和 CDM 分類等級，ESD 表中的等級未更改。3) 更改了峰值電流以反映規格，實際驅動強度未更改（從4A/4A更改為3.7A/4.5A）。4) 刪除了 0.9Ω 上拉和下拉電阻，因為這未在電氣特性表中指定。5) 刪除了 UCC27211A 器件不具備的偽 CMOS 兼容輸入功能。Go
• 更新了“應用”部分，添加了 5 大典型應用列表。Go
• “說明”部分的更改：1) 添加了新的 D（SOIC，8）封裝型號。2) 更改了峰值電流以顯示典型上拉/下拉電阻，實際規格未更改（從4A/4A更改為3.7A/4.5A）。3) 刪除了上拉/下拉電阻信息，因為這不是電氣特性表中的實際規格。4) 使用新數據更新了傳播延遲圖。5) 更改了 HS 瞬態容差以匹配絕對最大值表中的規格（從-18V更改為-(24-VDD)V）。Go
• 從上到下更改了 VSON 引腳排列視圖Go
• 更新了建議運行條件：將工作結溫最大值從 140°C 更改為 150°CGo
• 更新了“熱性能信息”部分以反映器件特性Go
• 更新了“電氣特性”表中的電源電流規格：1) 刪除了 I_DD、I_DDO、I_HB 和 I_HBO 的最低規格。2) 更改了 I_DD 典型值（從0.085mA更改為0.11mA）。3) 更改了 I_DDO 典型值（從2.6mA更改為1.4mA）。4) 更改了 I_DDO 最大值（從6.5mA更改為3mA）。5) 更改了 I_HBO 典型值（從2.5mA更改為1.3mA）。6) 更改了 I_HBO 最大值（從5.1mA更改為3mA）。8) 更改了 I_HBS 測試條件以與 V_HS 最大建議工作條件相匹配（從115V更改為105V）。9) 更改了 I_HBSO 典型值（從0.07mA更改為0.03mA）。10) 更改了 I_HBSO 最大值（從1.2mA更改為1mA）。Go
• 更新了“電氣特性”表中的輸入規格：1) 更改了 V_HIT 最小值（從1.9V更改為1.7V）。2) 更改了 V_LIT 最小值（從1.3V更改為1.2V）。Go
• 更新了“電氣特性”表中的自舉二極管規格：1) 更改了 V_F 最大值（從0.8V更改為0.85V）。2) 更改了 V_FI 典型值（從0.85V更改為0.9V），更改了最大值（從0.95V更改為1.05V）。3) 更改了 R_D 測試條件（從100mA 和 80mA更改為180mA 和 160mA）。4) 更改了 R_D 典型值（從0.5Ω更改為0.55Ω）。Go
• 更新了“電氣特性”表中的 LO/HO 柵極驅動器規格：1) 刪除了 V_LOL、V_LOH、V_HOL、V_HOH 的最低規格。2) 更改了 V_LOL 和 V_HOL 典型值（從 0.1V 更改為0.07V）。3) 更改了 V_LOH 和 V_HOH 典型值（從0.16V更改為0.11V）。Go
• 更新了“開關特性 - 傳播延遲”表：1) 更改了 T_DLFF 和 T_DHFF 典型值（從16ns更改為19ns）Go
• 更新了“開關特性 - 輸出上升和下降時間”表：1) 更改了 t_R 典型值（從0.36us更改為0.27us）。2) 更改了 t_F 典型值（從0.15us更改為0.16us）。Go
• 更新了“開關特性-其他”表：將 t_{IN_PW} 最大值從50ns更改為40ns）Go
• 更新了“典型特性”部分中的所有曲線圖以反映器件的典型規格。Go
• 更改了概述部分列出的典型規格，以便與電氣特性表中的器件規格保持一致。Go
• 更改了輸入級部分，以便匹配電氣特性表中的輸入下拉電阻典型規格（從70k?更改為68k?）。Go
• 更改了應用曲線以顯示傳播延遲和上升/下降時間圖Go