ZHCSS33 june 2023 TPSM843A22
PRODUCTION DATA
當(dāng)高側(cè) MOSFET 在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)，在高側(cè) MOSFET 中檢測電流，以使噪聲穩(wěn)定下來。每當(dāng)超過高側(cè)過流閾值時(shí)，高側(cè) MOSFET 會立即關(guān)斷，低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通。在電流降至低于低側(cè) MOSFET 過流閾值之前，高側(cè) MOSFET 不會重新導(dǎo)通，從而在短路情況下有效地限制峰值電流。如果連續(xù) 15 個(gè)周期檢測到高側(cè)過流，器件將進(jìn)入間斷模式。
低側(cè) MOSFET 在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)也會檢測到電流，以使噪聲穩(wěn)定下來。如果在從控制器接收到下一個(gè)傳入 PWM 信號時(shí)超過了低側(cè)過流閾值，則器件將跳過處理該 PWM 脈沖。該器件不會再次接通高側(cè) MOSFET，直到不再超過低側(cè)過電流閾值。如果連續(xù) 15 個(gè)周期超過低側(cè)過流閾值，器件將進(jìn)入間斷狀態(tài)。有兩個(gè)單獨(dú)的計(jì)數(shù)器分別用于高側(cè)電流事件和低側(cè)過電流事件。如果關(guān)斷時(shí)間太短，則低側(cè)過流不會跳閘。然而，低側(cè)過流在超過高側(cè)峰值過流限制后開始跳閘，因?yàn)槌^峰值電流限制會縮短導(dǎo)通時(shí)間并延長關(guān)斷時(shí)間。
高側(cè)和低側(cè)正過流閾值均可使用 MSEL 引腳進(jìn)行編程。提供了兩組閾值（“高”和“低”），在表 7-6 中進(jìn)行了匯總。這些閾值的值是使用直流電流的開環(huán)測量獲得的，以準(zhǔn)確指定值。在實(shí)際應(yīng)用中，電感電流斜坡和斜坡速率是電感兩端電壓的函數(shù) (VIN – VOUT) 以及電感值。然后，斜坡率與電流檢測電路中的延遲相結(jié)合，導(dǎo)致值與指定值略有不同。高側(cè)過流限制生效的電流可以略高于指定值，而低側(cè)過流限制生效的電流可以略低于指定值。
| MSEL 電流限制設(shè)置 | 高側(cè)過流典型值 (A) | 低側(cè)過流典型值 (A) |
|---|---|---|
| 高 | 17.5 | 13.2 |
| 低 | 11.5 | 8.8 |