ZHCSS33 june 2023 TPSM843A22
PRODUCTION DATA
TPSM843A26 使用輸入電壓、占空比和低側 FET 電流信息來生成內部斜坡。斜坡幅度由內部斜坡生成電容器 CRAMP 確定。可以通過 MSEL 引腳上連接至 AGND 的電阻器為 CRAMP 選擇三個不同值(請參閱節 7.3.9)。電容器選項為 1pF、2pF 和 4pF。較大的斜坡電容器會導致較小的斜坡幅度,從而導致較高的控制環路帶寬。下圖顯示了環路如何隨圖 8-1 中原理圖的每個斜坡設置而變化。
許多應用在 4pF 的 CRAMP 值下表現出色,但是,用戶必須測量環路增益和相位,才能確定特定應用的理想 CRAMP 值。
| fSW (kHz) | 查找 1 值 | 查找 2 值 |
|---|---|---|
| 500 | 0.372 | 0.297 |
| 750 | 0.548 | 0.445 |
| 1000 | 0.719 | 0.594 |
| 1500 | 1.04 | 0.891 |
| 2200 | 1.46 | 1.31 |
圖 7-6 和圖 7-7 顯示了環路如何隨節 8 中原理圖的每個斜坡設置而變化。