ZHCSBR4A April 2014 – June 2014 TPS7A8101-Q1
PRODUCTION DATA.
TPS7A8101-Q1 低壓降線性穩壓器 (LDO) 在輸出噪聲情況下可提供極佳的性能和電源抑制比 (PSRR)。 這款 LDO 使用一個先進的雙極 CMOS (BiCMOS) 工藝和一個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (PMOSFET) 無源器件來實現極低噪音、出色瞬態響應和極佳的 PSRR 性能。
TPS7A8101-Q1 器件與 4.7μF 陶瓷輸出電容器一起工作時保持穩定,并使用一個精確電壓基準和反饋環路在所有負載、線路、過程和溫度變化范圍內實現至少 3% 的精度。
這款器件在 TA = -40°C 至 +125°C 的溫度范圍完全額定運行,并采用裝有散熱焊盤的
3mm x 3mm SON-8 封裝。

