ZHCSVB8A March 2025 – October 2025 TPS482H85-Q1
PRODUCTION DATA
斷開電感負載時,電感電抗會導致輸出電壓趨于負值。過高的負電壓可能導致功率 FET 損壞。為了保護功率 FET,器件在漏極和源極之間實現了內部鉗位功能,即 VDS(clamp)。

在消磁期間 (tdecay),功率 FET 導通以進行電感能量耗散。總能量在高側開關中耗散??偰芰堪娫吹哪芰?(E(VS)) 和負載的能量 (E(load))。如果電阻與電感串聯,則部分負載能量會在電阻中耗散。

當電感負載關斷時,E(HSS) 會在器件上引起高熱應力。功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環境溫度和電路板耗散條件。
圖 7-7 漏源鉗位結構
圖 7-8 電感負載關斷圖從高側開關的角度來看,E(HSS) 等于消磁期間的積分值。

當 R 大概等于 0 時,E(HSD) 可以簡單地表示為:

當鉗位處于活動狀態時,該器件還會優化關斷轉換率。這種優化可以通過將瞬態功率和 EMI 的影響保持在最低水平,來幫助進行系統設計。受控轉換率約為 0.7V/μs。
對于 PWM 控制的電感負載,建議添加如圖 7-9所示的外部續流電路,以保護器件免受重復性功率應力的影響。TVS 用于實現快速衰減。有關詳細信息,請參閱圖 7-9。