ZHCSCQ5C August 2014 – September 2017 TPD1E05U06-Q1 , TPD4E05U06-Q1
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 符合 AEC-Q101
- 人體放電模型 (HBM) 分類等級 H3B
- 充電器件模型 (CDM) 分類等級 C5
- 器件溫度范圍：–40°C 至 +125°C
- IEC 61000-4-2 4 級 ESD 保護
（請參閱 ESD Ratings—IEC Specification 表）- ±12kV 接觸放電
- ±15kV 氣隙放電
- IEC 61000-4-4 瞬態放電 (EFT) 保護
- 80A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 浪涌保護
- 2.5A (8/20µs)
- I/O 電容 0.42pF 至 0.5pF（典型值）
- 直流擊穿電壓 6.4V（最小值）
- 超低漏電流 10nA（最大值）
- 低 ESD 鉗位電壓（在 5A TLP 下為 14V）
- 簡易直通路由封裝
2 應用
- 終端設備
- 音響主機
- 后座娛樂系統
- 遠程信息處理
- USB 集線器
- 導航模塊
- 媒體接口
- 接口
- USB 2.0
- USB 3.0
- HDMI 1.4/2.0
- 低壓差分信令 (LVDS)
- DisplayPort
- SIM 卡
3 說明
TPDxE05U06-Q1 是一系列具有超低電容的單向瞬態電壓抑制器 (TVS) 靜電放電 (ESD) 保護二極管。這些器件旨在耗散那些高于 IEC61000-4-2 4 級國際標準中規定的最高水平的 ESD 沖擊。超低負載電容特性使得這些器件非常適合保護任何高達 6Gbps 的高速 信號 應用。
這些器件還具有未經過汽車認證的型號：TPDxE05U06。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| TPD4E05U06-Q1 | USON (10) | 2.50mm x 1.00mm |
| TPD1E05U06-Q1 | X1SON (2) | 0.60mm x 1.00mm |
- 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
TPD4E05U06-Q1 簡化原理圖
TPD4E05U06-Q1 框圖
