ZHCSOQ6A October 2017 – June 2022 LMT86-Q1
PRODUCTION DATA
LMT86-Q1 器件在溫度和電源電壓范圍內具有非常高的線性度。由于 NMOS/PMOS 軌到軌緩沖器的固有行為，當電源電壓在器件的工作范圍內升高時，輸出可能會發生輕微漂移。漂移的位置取決于 VDD 和 VOUT 的相對電平。漂移通常在 VDD - VOUT = 1V 時發生。
產生該輕微漂移（數毫伏）的條件是 VDD 或 VOUT 發生大幅變化（約 200mV）。由于漂移發生在 5°C 至 20°C 的寬溫變范圍內，因此 VOUT 始終具有單調性。精度特性 表中的精度規格已包含該可能漂移。