ZHCSG29G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| 常規(guī) | ||||
| CLR | 外部間隙(1) | 端子間的最短空間距離 | >8 | mm |
| CPG | 外部爬電距離(1) | 端子間的最短封裝表面距離 | >8 | mm |
| DTI | 絕緣穿透距離 | 最小內(nèi)部間隙（內(nèi)部間隙 – 電容式信號(hào)隔離） | > 21 | μm |
| 最小內(nèi)部間隙（內(nèi)部間隙 – 變壓器電源隔離） | >120 | |||
| CTI | 相對(duì)漏電起痕指數(shù) | DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 | > 600 | V |
| 材料組別 | 符合 IEC 60664-1 | I | ||
| 過(guò)壓類(lèi)別（符合 IEC 60664-1） | 額定市電電壓 ≤ 300VRMS | I-IV | ||
| 額定市電電壓 ≤ 600 VRMS | I-IV | |||
| 額定市電電壓 ≤ 1000VRMS | I-III | |||
| DIN V VDE 0884-11:2017-01(2) | ||||
| VIORM | 最大重復(fù)峰值隔離電壓 | 交流電壓（雙極） | 1414 | VPK |
| VIOWM | 最大工作隔離電壓 | 交流電壓；時(shí)間依賴(lài)型電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測(cè)試；請(qǐng)參閱圖 10-5 | 1000 | VRMS |
| 直流電壓 | 1414 | VDC | ||
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = VIOTM，t = 60s（鑒定測(cè)試）； VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生產(chǎn)測(cè)試） | 7071 | VPK |
| VIOSM | 最大浪涌隔離電壓(3) | 采用符合 IEC 62368-1 的測(cè)試方法，1.2/50 μs 波形， VTEST = 1.6 × VIOSM = 10000VPK（鑒定測(cè)試） | 6250 | VPK |
| qpd | 視在電荷(4) | 方法 a，輸入/輸出安全測(cè)試子組 2/3 后， Vini = VIOTM，tini = 60s； Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s | ≤ 5 | pC |
| 方法 a，環(huán)境測(cè)試子組 1 后， Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm = 10s | ≤ 5 | |||
| 方法 b1，常規(guī)測(cè)試（100% 生產(chǎn)測(cè)試）和預(yù)調(diào)節(jié)（類(lèi)型測(cè)試）， Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s； Vpd(m) = 1.875 × VIORM，tm = 1s | ≤ 5 | |||
| CIO | 勢(shì)壘電容，輸入至輸出(5) | VIO = 0.4 × sin (2πft)，f = 1 MHz | ~3.5 | pF |
| RIO | 絕緣電阻(5) | VIO = 500V，TA = 25°C | > 1012 | Ω |
| VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C | > 1011 | |||
| VIO = 500V，TS = 150°C | > 109 | |||
| 污染等級(jí) | 2 | |||
| 氣候類(lèi)別 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO(UL) | 可承受的隔離電壓 | VTEST = VISO(UL)= 5000VRMS，t = 60s（鑒定測(cè)試）， VTEST = 1.2 × VISO(UL) = 6000VRMS，t = 1s（100% 生產(chǎn)測(cè)試） | 5000 | VRMS |