ZHCSDU2C July 2015 – July 2025 ISO7840
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數 | 測試條件 | 規(guī)格 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| DW | DWW | 單位 | |||
| 通用 | |||||
| CLR | 外部間隙 (1) | 引腳間的最短空間距離 | >8.15 | >14.5 | mm |
| 引腳間的最短空間距離（典型值） | 15.0 | mm | |||
| CPG | 外部爬電距離(1) | 引腳間的最短封裝表面距離 | >8.15 | >14.5 | mm |
| 引腳間的最短封裝表面距離（典型值） | 15.0 | mm | |||
| DTI | 絕緣穿透距離 | 最小內部間隙 | >21 | >21 | μm |
| CTI | 相對漏電起痕指數 | DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112；UL 746A | >600 | >600 | V |
| 材料組 | I | I | |||
| 過壓類別（符合 IEC 60664-1） | 額定市電電壓 ≤ 600VRMS | I–IV | I–IV | ||
| 額定市電電壓 ≤ 1000VRMS | I–III | I–IV | |||
| DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2) | |||||
| VIORM | 最大重復峰值隔離電壓 | 2121 | 2828 | VPK | |
| VIOWM | 最大隔離工作電壓 | 交流電壓（正弦波）；時間依賴型電介質擊穿 (TDDB) 測試；請參閱 圖 5-2 和 圖 5-1 | 1500 | 2000 | VRMS |
| 直流電壓 | 2121 | 2828 | VDC | ||
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = VIOTM，t = 60s（鑒定測試）； VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生產測試） |
8000 | 8000 | VPK |
| VIMP | 最大脈沖電壓 (3) | 在空氣中測試，符合 IEC 62368-1 標準的 1.2/50μs 波形 | 9800 | 9800 | VPK |
| VIOSM | 最大浪涌隔離電壓 (4) | VIOSM ≥ 1.3 x VIMP；在油中測試（鑒定測試），1.2/50μs 波形，符合 IEC 62368-1 | 12800 | 12800 | VPK |
| qpd | 視在電荷 (5) | 方法 a：輸入/輸出安全測試子組 2/3 后， Vini = VIOTM，tini = 60s； Vpd(m) = 1.2 × VIOTM = 2,545VPK (DW) 和 3,394VPK (DWW)，tm = 10s |
≤5 | ≤5 | pC |
| 方法 a：環(huán)境測試子組 1 后， Vini = VIOTM，tini = 60s； Vpd(m) = 1.6 × VIORM = 3,394VPK (DW) 和 4,525VPK (DWW)，tm = 10s |
≤5 | ≤5 | |||
|
方法 b：常規(guī)測試（100% 生產測試）； Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s； Vpd(m) = 1.875 x VIORM，tm = 1s（方法 b1）或 Vpd(m) = Vini，tm = tini（方法 b2） |
≤5 | ≤5 | |||
| CIO | 勢壘電容，輸入至輸出(6) | VIO = 0.4 × sin (2πft)，f = 1MHz | 2 | 2 | pF |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出 (6) | VIO = 500V，TA = 25°C | >1012 | >1012 | ? |
| VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C | >1011 | >1011 | |||
| VIO = 500V，TS = 150°C | >109 | >109 | |||
| 污染等級 | 2 | 2 | |||
| 氣候類別 | 55/125/21 | 55/125/21 | |||
| UL 1577 | |||||
| VISO | 可承受的隔離電壓 | VTEST = VISO = 5,700VRMS，t = 60s（鑒定測試）， VTEST = 1.2 × VISO = 6,840VRMS，t = 1s（100% 生產測試） |
5700 | 5700 | VRMS |