1 特性

• 適用于汽車電子 標準
• 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結果:
  • 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環境運行溫度范圍
  • 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
  • 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6
• 在 V_CM = 1500V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
• 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
• 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
  110ns（最大值）
• 2A 有源米勒鉗位
• 輸出短路鉗位
• 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發出故障報警，并通過 RST 復位
• 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
• 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
• 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
• 15V 至 30V 輸出驅動器電源電壓
• 互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
• 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態噪聲
• 可承受的浪涌隔離電壓達 12800V_PK”
• 安全及管理認證：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 V_PK V_IOTM 和 2121 V_PK V_IORM 增強型隔離
  • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5700 V_RMS 隔離
  • CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
  • GB4943.1-2011 CQC 認證
  • 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認證并規劃進行 CSA 認證

2 應用

• 隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 驅動器：
  • 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
  • 工業電機控制驅動
  • 工業電源
  • 太陽能逆變器
  • 感應加熱

3 說明

ISO5851-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV_RMS 增強型隔離柵極驅動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅動器的輸出狀態。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態。當檢測到 DESAT 時，柵極驅動器輸出會被拉低為 V_EE2 電勢，從而將 IGBT 立即關斷。

當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。

1. 如需了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。

功能方框圖