ZHCSB80B June 2013 – December 2014 CSD22202W15
PRODUCTION DATA.
此器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內產生盡可能低的導通電阻和柵極電荷。 低導通電阻與小型封裝尺寸和低高度結合在一起,使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應用。

| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -8 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 6.5 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷(柵極到漏極) | 1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導通電阻 | VGS = -2.5V | 14.5 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 10.2 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.8 | V | |
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD22202W15 | 3000 | 7 英寸卷帶 | 1.5mm x 1.5mm 晶圓級球狀引腳柵格陣列 (BGA) 封裝 | 卷帶封裝 |
| CSD22202W15T | 250 | 7 英寸卷帶 |
| TA = 25°C 時測得,除非另外注明 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -8 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -6 | V |
| ID | 持續漏極電流(1)
(受芯片限制) |
-10 | A |
| 脈沖漏極電流(2) | –48 | ||
| IG | 持續柵極電流(3) | -0.5 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 1.5 | W |
| TJ, Tstg |
運行結溫和 儲存溫度范圍 |
-55 至 150 | °C |
RDS(on) 與 VGS 間的關系![]() |
柵極電荷![]() |